AMD, 차세대 트랜지스터 기술 발표

COMPARA

03/06/17 11:32

2024

 

프로세서/플래쉬 메모리 업체인 AMD가 기존 재래식 트랜지스터보다 성능을 끌어올리기 위한 차세대 트랜지스터 기술을 개발했다고 일본 교토에서 열린 VLSI 심포지엄에서 밝혔다.
AMD는 인장(Strained) 실리콘 트랜지스터에 니켈 규소 메탈 게이트의 사용과 SOI(Slilicon On Insulator)기술을 합해서 AMD의 Opteron 프로세서의 성능을 끌어올릴 수 있는 방법을 발표했다. AMD는 이 기술로 재래식 트랜지스터보다 성능을 약 30% 정도 끌어올릴 수 있다고 주장했다. 인장 실리콘은 실리콘 게르마늄 레이어를 기존 실리콘 위에 얹어 실리콘 레이어의 원자가 게르마늄 레이어의 원자와 정렬하려 하는 과정에서 이 2개 레이어간의 전류 흐름을 개선시키는 기술이다.

SOI 기술은 절연재를 전류가 흐르는 채널주위에 추가해서 전류 누설을 막는 것으로 트랜지스터의 전력 소비량을 줄이고 성능을 끌어올리는 기술이다. AMD는 연구소에서 실험적으로 FD(Fully Depleted) SOI 실리콘 기술을 개발하는데 성공, 전류가 공급되면 트랜지스터를 켜고 끄는 게이트의 트랜지스터 본체 부분에 대한 제어권을 높이고 게이트와 본체 부분에 대한 분리도를 높였다고 밝혔다.

AMD는 이 FDSOI 트랜지스터와 메탈 게이트를 합해서 30% 이상 성능을 끌어올리는 기술을 선보였다. 메탈 게이트로 인해서 현재 폴리실리콘 게이트보다 더욱 가는 유전체가 가능하게 되어 더욱 많은 전류가 게이트를 통해서 흘러가는 것이 가능하게 된다고 AMD는 전했다.